Wurde der 1-W-Surge-P120-Chip nicht von Xiaomi entwickelt? Die offizielle Antwort

Das am 12. Dezember 30 eingeführte Xiaomi 2021 Pro ist das erste Smartphone, das eine 120-W-Einzelzellen-Ladelösung implementiert, da es mit dem von der Marke selbst entwickelten Ladechip Surge P1 ausgestattet ist. Nun, in diesem Zusammenhang hat das Unternehmen Shanghai Nanxin Semiconductor Technology heute eine Erklärung veröffentlicht, in der es heißt, dass sie in den vergangenen Wochen auf dem Xiaomi Surge P1-Chip anders gelaufen sind oder dass er mit dem von Nanxin Semiconductor hergestellten identisch war.

Wurde der 1-W-Surge-P120-Chip nicht von Xiaomi entwickelt? Die offizielle Antwort

Das Unternehmen hat daher angegeben, dass einer der von Nanxin Semiconductor entwickelten und produzierten Chips den internen Code SC8561 hat. Dieser Chip verfügt über eine Ultrahochspannungs-4: 1-Ladearchitektur, realisiert 120 W Einzelzellenladung, unterstützt 1: 12: 1- und 4: 1-Konvertierungsmodi, alle Modi können bidirektional arbeiten und können 120 W kabelgebunden, 50 W drahtlos, umgekehrtes drahtloses Laden und erreichen andere Ladefunktionen.

Während der von Nanxin Semiconductor im September 8571 veröffentlichte Nanxin SC2021-Chip über eine 4: 2-Ultrahochspannungs-Ladearchitektur verfügt, die eine 120-W-Zweizellenladung realisieren kann, unterstützt er 4: 22: 2-Modi für Ladeanforderungen mit sehr hoher Leistung.

Auf der anderen Seite unterscheidet sich der von Xiaomi entwickelte Ladechip Surge P1 komplett vom Nanxin SC8571. Es handelt sich um zwei Ladechips mit unterschiedlichem Design, unterschiedlichen Funktionen und unterschiedlicher Positionierung.

Laut der offiziellen Einführung von Xiaomi verfügt der Surge P1 über eine 4: 1-Ultrahocheffizienzarchitektur mit adaptiver Schaltfrequenz, der resonante Wirkungsgrad beträgt bis zu 97,5 %, der nicht resonante Wirkungsgrad 96,8 % und der Wärmeverlust sinkt auf 30 %. .

Gleichzeitig ist der Surge P1 auch Xiaomis Ladechip mit der höchsten Ladeeffizienz von 4:1, der eine ultrahohe Leistungsdichte von 0,83 W/mm² erreichen kann und außerdem über einen ultraniedrigen LDMOS von 1.18 mΩmm² verfügt, der branchenführende RSP. Im Allgemeinen ein viel höherer Chip als herkömmliche Ladechips.

Warum also kam es zu diesem Missverständnis? Nun, einfach weil der Xiaomi Surge P1 Chip in den Fabriken von Nanxin Semiconductor hergestellt wurde, aber das bedeutet nicht, dass es nicht Xiaomi war, der ihn entwickelt hat. Tatsächlich verfügen nur sehr wenige Unternehmen (wenn überhaupt) über Fabriken, um die verschiedenen Komponenten für ihre Geräte herzustellen.

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Pierpaolo Figuccia

Pierpaolo Figuccia

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